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12月28日，小米（1810.HK）公告称，获公司联合创始人、执行董事、副董事长林斌通知，林斌计划自2026年12月开始，在符合相关法律法规以及香港联合交易所有限公司证券上市规则相关要求的前提下，每12个月出售金额不超过5亿美元的本公司B类普通股，累计出售总金额不超过20亿美元的本公司B类普通股。小米指出，林斌减持计划所得款项主要用于成立投资基金公司。林斌对本集团业务前景充满信心并将长期服务于本集
据行业自媒体“划重点KeyPoint”，字节2026年采购的国产算力订单总额或将超过400亿元。其中，首批芯片即将开启交付，规模达百亿级，将成为国产算力发展的里程碑时刻。芯事情报局独家获悉，字节跳动第一批采购以华为CloudMatrix384超节点为主，此后随着华为昇腾950系列量产，将逐渐转向昇腾950系列。这一超400亿元的巨额投入涵盖芯片本身，也包括光模块、液冷系统、服务器机柜及电气设备等全
据多方消息披露，随着美国特朗普政府批准英伟达（NVIDIA）H200人工智能芯片对中国出口，全球高带宽存储器（HBM）市场出现新的价格波动。消息人士称，三星电子与SK海力士已将2026年HBM3E的供应价格上调接近20%，这一涨幅在业内被视为较为罕见。报道称，尽管HBM3E仍是2025年HBM市场的主流产品，且随着新一代HBM4预计于明年正式量产上市，HBM3E的价格理论上应趋于稳定甚至回落，但市
2025年12月25日，中国政府采购网一则公告引爆国产半导体圈：上海微电子以1.1亿元成交价，斩获科学技术部步进扫描式光刻机采购项目，中标设备型号为SSC800/10，这一突破为国产光刻机市场化迈出里程碑式一步。作为国内唯一具备先进前道光刻机研发制造能力的企业，上海微电子此次中标设备实力硬核：分辨率≤110nm、套刻精度≤15nm，可支持微米级乃至亚微米级结构的高稳定加工，更是万通道级神经电极制造
尽管此前达成50亿美元战略协议，但英特尔与英伟达的晶圆代工合作并未按预期推进。消息人士透露，英伟达已完成对英特尔18A工艺的采样测试，后续不再推进相关代工合作，这一动态引发行业对先进制程博弈的关注。作为英特尔IDM2.0战略的核心，18A工艺（18埃米，对应1.8纳米）搭载RibbonFET全环绕栅极与PowerVia背面供电技术，主打高能效比，核心适配自家PantherLake等移动端AIPC处
12月25日，美国银行分析师VivekArya重磅预测，2026年全球半导体产业营收将同比激增30%，总额有望突破1万亿美元（按现汇率约合7.03万亿元人民币），行业高景气周期将持续深化。在细分领域中，AI数据中心被视为最强增长极。分析师指出，到2030年该领域潜在市场总额将超1.2万亿美元，年复合增长率高达38%，其中仅AI加速器一项的市场机遇就将达到9000亿美元，成为拉动半导体产业增长的核心
12月26日，全球存储芯片短缺引发科技巨头"抢货大战"，谷歌因HBM（高带宽内存）供应不足，已解雇一名相关采购高管。据悉，该高管因未能提前预判市场紧缩并签署长期供货协议（LTA），导致公司AI加速器（TPU）核心部件供应面临风险，而谷歌TPU约60%的HBM供应依赖三星，SK海力士、美光均明确拒绝其新增订单需求。AI需求爆发下，HBM、LPDDR等存储芯片陷入前所未有的短缺困境。微软、谷歌、Met
12月25日，据Businessinsider、CNBC等外媒报道，AI芯片巨头英伟达官宣以200亿美元现金收购AI芯片新创公司Groq核心资产，这笔交易不仅创下英伟达史上最大收购纪录，更彰显其巩固AI芯片领域领导地位的决心。此次收购采用非排他性授权协议的创新模式，并非传统100%股权收购：英伟达获Groq全部资产与技术授权，GroqCloud云端业务保持独立运营；Groq核心团队成员将加入英伟达
12月25日，日本半导体设备巨头东京威力科创（TEL）突发重大人事调整，其台湾子公司董事长、总裁、副总裁全部换任，引发行业震动。业内普遍认为，此次人事巨震与TEL卷入台积电2nm制程窃密案直接相关，该公司已遭台湾地区法院起诉并被求处1.2亿元巨额赔偿。根据公告，TEL台湾子公司新任董事长将由长久保达也接任，总裁一职由TEL欧洲全球销售本部本部长仲间诚二出任，同时增设资深执行副总裁岗位，由东京威力科
2025年前三季税前净利已达1.4兆元新台币，一举超越去年全年总和。作为带领企业创下亮眼成绩的核心人物，董事长魏哲家的薪酬数据备受行业瞩目。根据台积电2024年年报披露，魏哲家当年薪资、奖金及特支费合计6亿元新台币，叠加3亿多元分红，总薪酬高达9.46亿元新台币（约合2.15亿元人民币）。伴随台积电2025年业绩同比增长3成，全年税前净利有望冲击1.5兆元新台币，业内预测，魏哲家今年的薪酬将突破1
荷兰半导体巨头恩智浦（NXP）正式宣布退出5G功率放大器（PA）市场，核心原因是5G市场恶化且无复苏前景。这一决定将导致其位于美国亚利桑那州钱德勒的ECHO晶圆厂关闭，该厂2020年9月启用，专注生产基于氮化镓（GaN）的5GPA芯片，曾被NXP称为“同类最先进”工厂。NXP在声明中表示，移动运营商投资回报率低导致5G部署放缓，全球基站部署量远低于预期，射频业务已不符合长期战略，因此决定逐步缩减射
12月24日，CounterpointResearch12月22日发布的最新报告显示，在全球人工智能（AI）与高性能计算（HPC）需求的强劲拉动下，2025年第三季度全球半导体代工2.0市场营收达到848亿美元（按现汇率约合5975.37亿元人民币），同比大幅增长17%，行业正加速迈入整合化发展新阶段。其中行业龙头台积电表现尤为亮眼，营收同比激增41%，市场份额进一步扩大至39%，尽显强者恒强的竞
12月23日，分析机构Counterpoint最新发布的2025年Q3全球蜂窝物联网模组与芯片追踪报告显示，本季度全球蜂窝物联网模组出货量同比增长10%，增长动能主要来自新兴市场与价格敏感市场的规模化部署，行业正加速从“硬件连接”向“智能服务”升级。区域市场呈现差异化增长态势：中国市场同比增长7%，智能电表、POS终端的普及以及Cat.1bis技术的大规模落地成为核心驱动力，Cat.1bis凭借单
12月23日，据mlex报道，AMD专为中国市场定制的AI芯片MI308即将正式推出，已吸引国内多家科技公司及云服务商关注，其中阿里巴巴集团计划采购4万至5万颗，按单价1.2万美元计算，订单总额或将达6亿美元。作为符合美国对华出口要求的特供芯片，AMDMI308与英伟达H20于今年7月同步获得出口许可，不过AMD需将中国市场销售额的15%上交美国政府以换取资质。此前，英伟达H20因性能较弱，且被国
作为被动元件领域的标杆企业，村田的MLCC（多层陶瓷电容器）凭借稳定性能广泛应用于汽车、消费电子、工业设备等多个领域。其中GCM、GRT、GRM三大系列是市场主流型号，但不少工程师在选型时容易混淆三者差异。其实核心区别集中在车规符合性、可靠性标准、适用场景三大维度，精准匹配需求才能兼顾性能与成本，避免选型失误。↑图片来源于村田官网最核心的区分点在于AEC-Q200车规标准符合性。GCM和GRT系列
Sandisk闪迪公司日前正式推出一款创新的开源工具SPRandom，旨在解决SSD基准测试中的重大技术瓶颈。简而言之，预处理是基于实际工作负载对SSD进行测试的关键步骤，以确保性能表现准确且可重复，并真实反映客户的实际使用情况。传统上，使容量超过16TB的SSD进入稳态并进行准确测试，通常需要耗时数天甚至数周对SSD进行顺序与随机写入。而借助SPRandom工具，采用伪随机预处理方法并整合I/O
量子纠错是实现大规模量子计算的关键基础，在这个领域，我国科学家近日取得重大突破。记者从中国科学技术大学获悉，该校教授潘建伟、朱晓波、彭承志和副教授陈福升等，在不久前的实验中，基于超导量子处理器“祖冲之3.2号”，在码距为7的表面码上实现了“低于阈值，越纠越对”的量子纠错里程碑。值得一提的是，这一成果的取得，是基于该团队独创的一种“全微波控制”的全新路径，其纠错效率和可扩展性都优于美国谷歌公司之前的
据路透社报道，英伟达已通知中国客户，计划在明年二月中旬——中国农历新年前——开始向中国出口其人工智能（AI）芯片H200。两位消息人士透露，英伟达将利用现有H200库存完成首批订单，预计出货总量约为5000至10000台8卡服务器，即约4万至8万颗H200芯片。另一位知情人士表示，英伟达计划增加H200产能，并计划在2026年第二季度交付第二批订单，但国内进口政策仍存在不确定性。此前，美国总统特朗
据多方消息报道，中国科技巨头腾讯近期通过第三方合作伙伴，与日本营销解决方案提供商Datasection签署了一份总额超过12亿美元的长期租赁协议，获得其数据中心内约1.5万颗英伟达Blackwell架构GPU的算力使用权。尽管美国政府已批准英伟达H200GPU对华出口，但相关产品目前尚未正式进入中国市场，且在性能上已落后于英伟达最新一代BlackwellGPU。通过与Datasection的间接合
为守住半导体领域的领先优势，中国台湾当局正酝酿一项严苛的新出口规则，核心直指台积电的海外技术输出——拟推行“N-2”规则，仅允许这家全球最大晶圆代工厂出口落后其领先生产节点两代的技术。若政策落地，台积电积极推进的美国先进晶圆厂扩张计划或将显著放缓。此前中国台湾当局执行的是“N-1”规则，允许出口落后领先工艺至少一代的技术，而“N-2”规则在限制上大幅收紧。按技术世代划分标准，这意味着台积电海外出口
川土微电子全新推出CA-IS3214系列单通道增强隔离栅极驱动器，基于先进SiO₂电容隔离技术打造，专为驱动SiCMOSFET、IGBT等先进功率器件优化，以强性能、高可靠特性，适配电机驱动、新能源及工业电源等多场景需求。该系列核心性能拉满：具备10A/10A峰值拉/灌驱动电流，可稳定驱动高达2121VPK的功率器件；隔离性能尤为出众，支持1.5kVRMS隔离工作电压、12.8kVPK浪涌抗扰度，
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